磁性非易失MRAM
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磁性随机存储器芯片(MRAM)磁性随机存储器芯片(MRAM)

一种非挥发性的磁性随机存储器。
它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,
以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入
Everspin MRAM其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。
Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
型号 容量 位宽 电压(V) 温度 封装 MOQ /托盘 MOQ /卷带 PDF
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 570 4,000 联系我们
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 联系我们
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 联系我们
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 联系我们
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 联系我们
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 联系我们
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