非易失性NV-SRAM
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非易失性存储器芯片(NV SRAM)非易失性存储器芯片(NV SRAM)

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量,存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题,数据存储位置与标准SRAM相同。
型号 容量 位宽 温度 电压(V) 速度 封装 包装 状态 PDF
VTI8P256N08M 256Kbit 32K x 8 C,I 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P001N08M 1Mbit 128K x 8 C,I,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P001N16M 1Mbit 64K x 16 C,I,E,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P004N08M 4Mbit 512K x 8 C,I,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P004N16M 4Mbit 256K x 16 C,I,E,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P016N08M 16Mbit 2M x 8 C,I 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8P016N16M 16Mbit 1M x 16 C,I 3.3 35ns 54TSOP,48BGA Tray,T&R MP 联系我们
VTI8S128N00M 128Kbit 16K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 联系我们
VTI8S256N00M 256Kbit 32K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 联系我们
VTI8S001N00M 1Mbit 128K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 联系我们
VTI8S004N00M 4Mbit 512K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 联系我们
VTI8Q001N00M 1Mbit 128K x 8 C,I 3.3 40MHz/104MHz 16-SOIC Tray,T&R MP 联系我们