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目前世界上现有的存储技术有两种,一种是以内存为代表的易失性存储,速度很快,但断电后数据就丢失了,无法保存;另一种是以U盘为代表的非易失性存储,断电后依然能够保存数据,但缺点就是读写速度慢。近期复旦大学微电子学院的团队则研发出了第三种存储技术,不但能保证超高的读写速度,又能保证断电后数据不会丢失。
 
据团队人员介绍,基于这项技术制作的存储元器件,其写入速度将会比普通U盘快上10000倍。
 
而且这项技术的特别之处在于能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是,这种技术采用了多重二维半导体材料,只要通过对材料比例的控制,便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。
 
目前这项技术还仅仅存在于实验室中,不过这项技术诞生于中国复旦大学,看来中国研发已经往世界水平看齐了。



关键词:存储芯片

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